Un team di ricercatori dell'Università Penn State ha compiuto un nuovo importante passo nello sviluppo dell'elettronica al grafene, realizzando un transistor a effetto di campo (applicabile nell'elettronica ad alta frequenza e in dispositivi optoelettronici) avvalendosi di grafene e boro nitruro esagonale su wafer da 75 millimetri.
Il grafene, probabile sostituto del silicio grazie alle migliori proprietà elettroniche, finora non si è dimostrato semplice da imbrigliare per creare microchip, né tantomeno da consentire una produzione industriale in volumi.
Come molti di voi sapranno, i chip che si trovano nei prodotti di tutti i giorni nascono dai cosiddetti wafer, da cui vengono "tagliati" e per questo è importante trovare un modo efficace, stabile ed economico per consentirne la realizzazione in un numero di unità molto elevato.
La risposta a queste necessità forse arriva proprio dalla Penn State, dove i ricercatori si sono avvalsi di cosiddetti materiali a strati bidimensionali, nel caso specifico una combinazione di grafene e boro nitruro esagonale (hBN), per consentire al grafene di conservare le sue caratteristiche su scala "wafer", come le prestazioni dalle due alle tre volte maggiori rispetto ai transistor tradizionali al silicio.
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